台湾芯片代工业以台积电为代表，的的确确比大陆以中芯国际为代表的芯片代工业领先很多，比三星、英特尔也领先不少。但是，在芯片设计、制造、封测这3个代表性环节中，只是制造比大陆领先很多。
台湾领先很多的原因复杂，而大陆被领先则另有深层和惯性的原因。
1 起步早只是台湾芯片代工业领先大陆的独有因素
台积电成立早于中芯国际。台积电是在1987年，中芯国际是在2000年，差了13年，这个时间差距不小。相似的例子和佐证是 ASNL公司成立于1984年，上海微电子成立于2002年，相差18年，是更大的时间差距，在光刻机技术上则是ASML领先上海微电子更多。
华为海思成立晚于联发科。海思半导体是在2004年，联发科是在1997年，差了7年，海思芯片设计技术水平比联发科高多了，不是一个量级的，与高通、苹果以及三星有一拼。相似的例子和佐证是中微半导体同海思半导体一样，也是成立于2004，至今才有16年历史，刻蚀机达到了世界先进水平，据报道5nm的已经量产，正在研发3nm的，美国因此而立刻撤销了刻蚀机的出口限制；相反的例子则是紫光展锐成立于2014年，分别晚于海思半导体和联发科10年、17年，比之2者，芯片设计水平分别低太多、低很多。
长电科技成立早于日月光。前者是在1972年，后者是在1984年，差了12年，前者的芯片封测技术水平略低于后者，2019年的世界排名则是前者第三、后者第一。
2 不被外部封锁并非是台湾代工业领先大陆的独有因素
台积电可以买来荷兰ASML最顶尖的EUV极紫外光刻机。据报道，一次可以买7台。中芯国际则1台也不可以，虽然早在2018年5月就订购了，由于美国的阻挠，至今还没有到货。
中芯国际并不是完全被封锁。据报道已经买到和使用ASML的含有美国技术DUV光刻机来量产14nm工艺芯片，其实，中芯国际还使用了另外一些美国技术、产品、设备，这是中芯国际亲口说明的。正是由于未能实现去美国化，中芯国际面临着可能不能再给华为代工芯片的局面，即便是拥有了全球顶尖光刻机。据报道，大陆半导体行业中的企业都使用了美国技术、产品和设备，都面临着去美国化的艰巨任务，道路漫长，尤其是在制造中国技术的世界先进水平光刻机上。
3 台湾芯片代工业比大陆领先一定是由于综合性原因
起步晚很多未必就被领先很多。高通成立于1986年，早于海思半导体18年，却并没有领先很多，而海思半导体能够这样，一定与背后的华为是怎样的一个公司有莫大关系。由此，可以想到中芯国际和上海微电子成立分别晚于台积电和ASML13年、18年却被领先很多，一定是由于在哪些方面与华为相比有很大的差距。反过来看，起步早则甚至有连领先以至先进都做不到的，联发科就差不多是这样的一个企业，不正常，相形之下，长电科技和中微半导体2家却都接近于正常了，是不是由于做出了正常甚至是超常的努力？肯定不是一句所分工的环节科技含量相对低就能解释清楚的，更不是唯一的解释。
台湾包括芯片代工业在内整体布局在总体上比大陆早这个原因不可忽视。已知，基于专业化的产业整体一体化的先发作用至关重要。在布局上，本来长电科技成立比日月光还早，差了1个年代，然而，最先跟上长电科技的中芯国际则差了3个年代，而台积电的成立只比日月光晚了3年，与华为的成立同年；即便是比日月光成立晚了13年的联发科，也早于紫光展锐13年，但紫光展锐比长电科技却晚成立了42年，这个时间差距太大了，好在这中间海思半导体成立了。结果是，迄今为止，台湾芯片产业链只比大陆落后了1个环节，即芯片设计。
大陆芯片业在“被选择性封锁”情况下没领先台湾有深层次和一贯性的原因。人家的顶尖设备买不来，自己也没造出来，结果是光刻机制造厂制约了自我的发展，又制约了芯片代工厂的发展，芯片代工厂于是制约了芯片设计厂的发展，芯片设计厂则制约了国产高端手机的发展。如前所述，原因是综合的，但其中显然有没认识到与台湾在国际环境和条件上存在显著差异这个原因，台湾得天独厚，而在根本上，是由于没有认识到或者没重视起美国及其技术这个一而再再而三出现的制约因素所具有的现实和长远危害性。
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